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补偿和测量高功率L绝缘材料生产ED驱动器的控制
浏览: 发布日期:2017-09-11


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随着以太网在联网领域激增,在10/100和Gb端口采用PoE(以太网供电)的系统也在迅速增加。通过以太网电缆给远程设备供电的好处和成本优势使许多应用(包括IP电话、数字视频监控、WLAN接入点及其他低压网络连接的系统)得以实现。

典型的PoE系统利用供电设备(PSE)通过以太网双绞线把直流电压发送到远程受电设备(PD)。由于PoE系统经常受到瞬态电压威胁,在设计时需要考虑的重要问题之一,就是保护绝缘板以太网物理层收发器(PHY)能够抵御过压冲击。

在PoE应用增长的同时,以太网PHY的尺寸也在迅速缩小。目前,以太网PHY大多使用90nm技术制造,但芯片制造商即将推出采用65nm工艺技术制造的尺寸更小的产品。事实表明,采用这些先进的制造工艺时,在CMOS上实现有效的芯片级ESD保护是不切实际的,因为芯片面积太小无法提供系统级鲁棒性,另外要实现有效的芯片级保护成本也过高。为满足全球标准的要求、并保证系统的可靠性,时下基于以太网的系统设计越来越强烈地要求使用更好的片外电路保护。

瞬态电压威胁

以太网接口易于受到各种瞬态过压事件的攻击,其中最常见的是静电放电(ESD)、电缆放电和闪电电涌。另外,在PoE系统中,通过双绞线传送直流功率会引入一些特有的由差分模式连接引起的瞬态故障。

ESD是一种速度非常快的瞬态脉冲。根据IEC61000-4-2标准给出的模型,ESD波形的上升时间为700皮秒到1纳秒,从脉冲峰值电流衰减到50%的脉冲持续时间为60纳秒。大的电流尖峰和瞬态过程中包含的能量可能会损坏硅芯片的亚微米输入结构。

在摩擦带电效应或感应等常规环境下,以太网电缆带电后会发生电缆放电(CDE),或称为电缆静电放电(CESD)现象。把带电的电缆插入系统接口是有危险的。事实表明,电缆通过以太网磁通道向以太网端口放电会形成几种不同模式的电涌。与ESD相类似,电缆放电电涌的上升时间很短(不到1纳秒),但与ESD不同,其继发波形存在极性快速变化且持续时间较长的振荡。对于以太网设计者来说,电缆放电波形中的能量会带来比人体静电放电更为严重的问题。

在网络连接中,闪电电涌是一种常见的威胁。闪电冲击可以在以太网线上感生出可能会传送到以太网PHY的高压脉冲。与纳秒级的ESD事件不同,闪电电涌的持续时间为毫秒级。EMC业界用上升时间(毫秒级)、尖峰


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