欢迎光临~铭华绝缘材料网

绝缘材料批发020-86210356 Mobile180-2712-1262
联系我们
服务热线
020-86210356
手机:18027121262
传真:020-86210356
邮箱:88336037@qq.com
广州市白云区 齐富路威利商务中心7楼706号
当前位置:主页 > 新闻资讯 > 行业新闻 >
传统半导体工艺微缩将于绝缘制品2024年前告终
浏览: 发布日期:2017-09-10


本页文章链接: http://www.ming-hua.com/BOQIANBAN/xinwenzixun/xingyexinwen/14657.html

eeworld网资讯:根据致力于规划新版半导体发展蓝图的工程师所提供的白皮书,传统的半导体工艺微缩预计将在2024年以前告终。值得庆幸的是,各种新型碳纤维的组件、芯片堆栈和系统创新,可望持续使运算性能、功耗和成本受益。

在国际组件与系统技术蓝图(InternaTIonal Roadmap for Devices and Systems;IRDS)最新发表的一份白皮书中提到,“由于多间距、金属间距以及单元高度同时微缩,使得晶粒成本迄今持续降低。这一趋势将合成石持续到2024年。”

在2024年以后,该白皮书中提到,“已经没有足够的空间布局触点,加上接触多间距(CPP)微缩导致性能退化的结果,预计实体信道长度将因静电程度恶化而在12nm饱和,CPP则在24nm饱和,以保留足够的电源密度(~11nm),使组件触点提供可接受的寄生效应。”

IRDS是首度于1965年发布的“国际半导体技术蓝图”(ITRS)之延伸版本。去年五月,IEEE接手后将它重新命名为IRDS,并扩展到涵盖新型系统级技术。

IEEE预计将于11月在美国华府举行的活动上正式发布IRDS的第一个版本。新的白皮书象征迈向更新版本的过渡阶段。

在ITRS时代的许多白皮书都在介绍传统的研究,例如CMOS微缩、新兴组件与良率等。只有几篇论文能不落俗套地介绍一些新的领域,例如系统互连,以及量子与神经系统等新型运算。

在所有的白皮书中,所谓的“后摩尔定律”(More Moore)在文章中有最详尽的介绍。它提供有关逻辑组件与内存组件尺寸与材料及其关键组件(如互连)的大量信息。

例如,在白皮书中预测,“FinFET可为实现高性能逻辑应用持续微缩到2021年;然而,在2019年以后,将开始转向环绕式闸极(GAA)晶体管,并可能转向需要垂直纳米线组件,届时将会因为鳍片宽度微缩限制,而不再有闸极长度微缩的空间。”

该白皮书中并预测,插入高迁移率材料(如锗),可望使“驱动电流提高一个数量级”。

它还预测,随着芯片制造商转移到水平和垂直GAA晶体管,“2019年以后的寄生效应将随设计规则紧缩而成为主要的旋钮,预计寄生效应将在关键路径性能发挥更大影响力。”

芯片堆栈和各种新兴组件可望为CMOS以外的组件提高性能以及降低成本。“业界必须追寻3D整合路径,如堆栈与单片3D (或序列整合),以维持系统的性能与增加功率,同时保有成本优势。” IEEE研究员兼IRDS主席Paolo A. Gargini表示:“我们的研究团队正致力于确认挑战以及提议可能的解决方案,突破摩尔


上一篇:RS Components为工程师和学生推出绝缘制品树莓派易
下一篇:扭绝缘材料生产力测试仪的正确使用方法