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眺望下绝缘板加工一代半导体技术
浏览: 发布日期:2017-09-08


本页文章链接: http://www.ming-hua.com/FR4/xinwenzixun/gongsixinwen/12511.html

  按国际半导体工艺路线图ITRS的要求,半导体工艺技术在2004年进入90nm,似乎工艺技术的进展并没有拖工业进步的后腿。

  按国际半导体工艺路线图ITRS的要求,半导体工艺技术在2004年进入90nm,2006年进入65nm时代。客观上应该承认,截止到现在,经过全球半导体工业界的共同努力,己经克服了许多困难,如铜互连及低k介质材料等。似乎工艺技术的进展并没有拖工业进步的后腿,其中浸入式光刻FR4绝缘板技术具有突破性的成就。所以全球半导体业界顺利地经过130nm、90nm,开始进入65nm时代。

  技术己经跨越45nm

  随着工艺微细化的进步,极的长度和绝缘膜厚度两方面都会呈比例地缩小,有效地减少了芯片的面积。例如,采用65nm工艺生产一个数字基带IC,在1平方毫米的面积内,集成度可以达到90万个逻辑门,生产DRAM时,其每个单元面积小到仅0.028平方微米,每平方毫米容量可以达到达20.0Mb以上。

  全球半导体业界在2006年进入65nm时代已不可逆转。

  根据最新的消息,Intel日前表示将提前推出全新架构的65nm工艺制程的桌面处理器Conroe,由预计的2006年第四季度提前至2006年7月。而原计划在第二季度末推出的BroadWater芯片组(965系列)将推迟到同一时间,以配合Conroe处理器的发展。 目前,处理器的典型研发周期是24?32个月,而在十年以前约是48个月。研发周期的主要任务就是寻找和定位错误,Intel在量产之前不放过任何一个微小错误。其65nm工艺共花费了20个月就达到了成熟的水平,而对于180nm用了38个月,130nm用了30个月,而90nm也用了26个月。

  Samsung早就扬言己进人70nm的DRAM产品生产。全球代工业双雄台积电及联电在无线通讯应用的基带处理器(Baseband Processor)、现场可编程逻辑器件(FPGA)及显示芯片等产品方面, 预计于2006年上半年也可进入65nm芯片量产,连新加坡特许也将在2006年第一季度开始导入65nm产品的试生产。

  美国德州仪器在2005年12月12日宣布,其65nm工艺技术已通过认证,并将于2006年进入量产阶段。

  另外,特许、IBM、三星电子在2005年5月时已宣布成立90nm的合作研发联盟,并于6月时再次共同投入65nm的研发。而英飞凌也在11月时加入该联盟组织,4家半导体业者分别在工艺与订单上互相合作,包括65nm的无线通讯与绘图芯片,预计将在2006年第一季度开始进入试生产阶段。

  在众多工艺技术挑战中,光刻技术的难度总是列在首位。目前采用ArF的193nm浸入式光刻技术己日趋成熟。

  从各种报道可以了解,利用浸入式光刻已经顺利地渡过45nm工艺技术,而对于32nm技术是继续发展大数值孔径的浸入式光刻技术,还是采用EUV技术仍难下定论。


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