欢迎光临~铭华绝缘材料网

绝缘材料批发020-86210356 Mobile180-2712-1262
联系我们
服务热线
020-86210356
手机:18027121262
传真:020-86210356
邮箱:88336037@qq.com
广州市白云区 齐富路威利商务中心7楼706号
当前位置:主页 > 新闻资讯 > 公司新闻 >
关于LED绝缘介质研制及产业化方面新进展
浏览: 发布日期:2017-09-08


本页文章链接: http://www.ming-hua.com/FR4/xinwenzixun/gongsixinwen/12940.html

      一、引言

      中国电子科技集团公司第十三研究所(简称十三所)是国内最早开展超高亮度环氧板加工LED研制的单位,曾于1996年率先在国内引进了第一台生产型(2400型)MOCVD设备,成立了河北汇能公司光电部,于1998年率先在国内建立了InGaAlP超高亮度LED生产线,建立了河北立德电子有限公司。多年来一直承担国家863计划课题,率先实现了InGaAlP超高亮度LED外延片和芯片的产业化,于2000年完成了InGaAlP超高亮度LED芯片的产品设计定型鉴定,并完成了863“超高亮度LED外延片和芯片的产业化基地”的建设。2001年十三所按照信息产业部的指示,又将超高亮度LED“863”产业化成果转移至福建厦门三安电子有限公司,承担了国内投资规模最大(5亿人民币)超高亮度LED生产厂家的筹建包括立项、厂房设计、技术培训、设备选型等。十三所所多年来在推动我国超高亮度LED产业化方面作了许多工作。

       二、红外功率LED产品的更新换代系列化

     十三所在半导体功率型红外LED的研制方面取得了许多科研成果。包括用于坦克夜视仪取代白炽灯的GaAs功率型红外LED;可在直流1A、脉冲24A下工作的InP功率型红外LED,专用于硅单晶少数载流子寿命测试仪,取代了真空光源。最近又用MOCVD外延生长技术研制出具有谐振腔结构的功率型红外LED,成功的用于军用瞄准系统,完成了产品的更新换代。同时红外LED产品已成系列包括F004型、F005型、F006型、761型,峰值波长从900nm至1100nm,输出光功率从10mW至180mW,光束角从38绝缘板FR-4∘到170∘,可应用于红外测距、红外夜视、红外通讯、光点自动控制、光电耦合等。

        三、单芯片可见光功率LED的光效达到新水平

十三所研制的1W单芯片功率LED已完成产品设计定型。设计和制作了具有自主知识产权的用于功率型LED单芯片封装的陶瓷金属化管壳,并开展了封装专题研究包括:对各种结构的大尺寸LED功率型芯片的电流分布和热分布的比较;不同合金焊料和导电银浆粘结功率芯片对热阻的影响;不同灌封胶对可靠性的影响;共晶焊接和玻璃微透镜制作的工艺研究。采用自行设计和制作的管壳封装的F002型白光功率LED光源,如图所示,流明效率一般在30Lm/W以上,最高达到38.6Lm/W;光通量均在43Lm以上,最高达到51Lm,色温为3000-8000K,显色指数可达到80以上,热阻一般低于20W/℃.可用于特种照明如矿灯、阅读灯、应急灯、手电筒等。


上一篇:关于LED耐压绝缘测试研制及产业化方面新进展
下一篇:Vishay推出新型超高精度绝缘介质表面贴装电阻网