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英特尔45纳米制程绝缘材料厂技术为晶体管带来巨
浏览: 发布日期:2017-09-04


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自从1947年第一个晶体管发明以来,科学技术一直在迅猛发展,为更高级、更强大、成本效益和能效更高的产品发明铺平了道路。尽管进步巨大,但是晶体管发热和电流泄露问题始终是制造更小的晶体管、让摩尔定律持久发挥效力的关键障碍。毫无疑问,过去40年一直用来制造晶体管的某些材料需要进行替代。英特尔公司已经开发出应用于其45纳米晶体管的新型材料,当这些材料组合在一起时,就可制造出一种漏电率极低、性能极高的晶体管。英特尔采用45纳米制程技术开发出首批可工作的处理器——这些处理器是英特尔下一代英特尔酷睿2和至强系列处理器中Penryn系列的一部分。通过这些处理器的开发,英特尔已经成功地解决了阻碍摩尔定律发展的一些重大障碍。消除这些障碍将最终制造出能效更高、成本更低、性能更强的计算产品,应用于从笔记本、移动设备到台式机和服务器不一而足。在晶体管诞生60周年来临之际,让我们来回顾一下晶体管的发展历史及其重要里程碑,因为英特尔的45纳米技术创新催生了新的半导体技术,并将把摩尔定律带入下一个10年。1947年12月16日:威廉·邵克雷(William Shockley)、约翰·巴顿(John Bardeen)和沃特·布拉顿(Walter Brattain)成功地在贝尔实验室制造出第一个晶体管。 1950年:威廉·邵克雷开发出双极晶体管(Bipolar Junction Transistor),这是现在通行的标准的晶体管。 1953年:第一个采用晶体管的商业化设备投入市场,即助听器。 1954年10月18日:第一台晶体管收音机Regency TR1投入市场,仅包含4只锗晶体管。 1961年4月25日:第一个集成电路专利被授予罗伯特·诺伊斯(Robert Noyce)。最初的晶体管对收音机和电话而言已经足够,但是新的电子设备要求规格更小的晶体管,即集成电路。 1965年:摩尔定律诞生。当时,戈登·摩尔(Gordon Moore)预测,未来一个芯片上的晶体管数量大约每年翻一倍(10年后修正为每两年),摩尔定律在Electronics Magazine杂志一篇文章中公布。 1968年7月:罗伯特·诺伊斯和戈登·摩尔从仙童(Fairchild)半导体公司辞职,创立了一个新的企业,即英特尔公司,英文名Intel为“集成电子设备(integrated electronics)”的缩写。 1969年:英特尔成功开发出第一个PMOS硅晶体管技术。这些晶体管继续使用传统的二氧化硅栅介质,但是引入了新的多晶硅栅电极。 1971年:英特尔发布了其第一个微处理器4004。4004规格为1/8英寸 x 1/16英寸,包含仅2000多个晶体管,采用英特尔10微米PMOS技术生产。 1978年:英特尔标志性地把英特尔8088微处理器销售给IBM新的个人电脑事业部,武装了IBM新产品IBM PC的中枢大脑。16位8088处理器含有2.9万个晶体管,运行频率为5MHz、8MHz和10MHz。8088的成功推动英特尔进入了财富(Fo


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