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安森美扩展功率MOS绝缘平台FET和IGBT驱动器系列
浏览: 发布日期:2017-09-03


本页文章链接: http://www.ming-hua.com/huanyangban/2017/0905/11077.html
      2008年4月14日,电源解决方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ONNN)扩展MOSFET驱动器集成电路(IC)系列,推出四款新器件:NCP5106、NCP5104、NCP5111和NCP5304。这些新的功率门驱动器针对中低功率应用,适用于终端产品包括白家电照明电子镇流器马达控制等工业应用。      这些新的高压、高端和低端驱动器工作在-40℃至125℃的宽规定工作温度范围,并能工作在高达600伏(V)的输入电压,减轻了设计时间和精力。它们都具有每纳秒(V/ns) 50 V的dV/dt抗扰度,并兼容于3.3 V和5 V输入逻辑。这些器件使用启动电路(bootstrap)技术来确保驱动高端功率开关,并提供强固的设计。      NCP5104、NCP5106B、NCP5111和NCP5304是高压功率门驱动器,提供两路输出,用于直接驱动采用半桥配置的两个N沟道功率MOSFET或绝缘门极双极型晶体管(IGBT)。NCP5106A能够用于其它任何高端加低端配置。     NCP5104、NCP5106、NCP5111和NCP5304与行业标准器件引脚对引脚兼容,采用SOIC-8和PDIP-8封装,每2,500片的批量单价分别为0.80美元和0.96美元。
 


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